mems光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
以硅基晶圆为例,半导体晶圆的主要制备步骤有[1]:硅提炼及提纯:大多数晶圆是由从沙子中提取的硅制成的。将沙石原料放入电弧熔炉中,还原成冶金级硅,再与反应,生成,半导体光刻工艺外协,经过蒸馏和化学还原工艺,得到高纯度的多晶硅。单晶硅生长:将高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,使多晶硅熔化。然后把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。这样就形成了圆柱状的单晶硅晶棒。晶圆成型:将单晶硅棒经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻等工序,制成一片片薄薄的半导体衬底,即晶圆。
半导体晶圆的尺寸在这一步骤中确定。晶圆的尺寸一般以“英寸”为单位。在半导体行业的早期,由于工艺能力的---,半导体光刻工艺代工,硅棒直径只有3英寸,约合7.62厘米。此后,随着技术进步和生产效率提高,晶圆尺寸不断增大。目前,黑龙江半导体光刻工艺,在半导体制造中使用的直径为12英寸(又称300毫米)。
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在半导体工艺里,沉积是指在原子或分子水平上,将材料沉积在晶圆表面作为一个薄层的过程。沉积工艺就像是喷涂刷,将涂料均匀的薄薄喷洒在晶圆表面上。
根据实现方法的不同,沉积主要分为物理气相沉积(pvd)和化学气相沉积(cvd)。
pvd是利用物理方法,将材料源气化成气态原子、分子,或电离成离子,并通过低压气体,在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。
cvd是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物,半导体光刻工艺实验室,在衬底表面进行化学反应形成薄膜的方法。一般用于沉积半导体或绝缘体,以及金属合金等。
为了增强化学反应,cvd也可以与其他方法相结合。如pecvd(等离子增强cvd,就是利用等离子体来化学反应,---cvd的方法。
根据不同目标和需求,pvd和cvd在实际工艺流程中也可以自由选择。
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什么是光刻板
光刻板是一种由石英为材料制成的,可以用在半导体---制程上的母版。 而这种从光刻板母版的图形转换到晶圆上的过程,就像机工作一样。我们可以把光刻机---成机,把母版的图形印到纸张上的过程,就像光刻机把芯片图形印到晶圆上一样,都需要有母版,这个母版在半导体制造上就是光刻板。 为了制造一款芯片需要几百道工序,光刻板也是不只一张的,在14nm工艺制程上,大约需要60张光刻板,7nm可能需要80张光刻板甚至更多。当然光刻板的品质要求是不同的,对于某些对精度要求---的工序,相对应的光刻板对精度的要求时高的,比如晶体管相关的光刻板, 而对精度要求不那么高的工艺,比如pad(打线孔)等要求就低一些,光刻板价格也便宜一些。 ---制程对光刻板精度的要求越来越高,同时不能有缺陷,所以光刻板制造后的检查(inspection)也很重要。
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