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材料刻蚀平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

等离子体干法去胶：

用hdk-2型等离子刻蚀去胶机去胶，在去胶机内通入刻蚀气体o2。等离子体内的活化氧使有机物在（50—100）℃下很快氧化，生成co2、co、h2o等挥发性成份，从而达到去胶目的。

特殊胶（pi钝化产品、带胶注入产品）：pi去胶时除了o2，再加适量的cf4，如果去不干净再在等离子刻蚀机上用sf6处理。

一般在si3n4刻蚀后去胶用剥除，然后在等离子体去胶机中去胶丝，刻蚀后在显微镜下观察硅片表面是否有残丝。

去胶后检查：

1、有残胶——再去胶；

2、有残液——再清洗；

3、有残迹——用1号液清洗；

4、窗口有二氧化硅或铝残留。

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在半导体制造中，蚀刻使用各种技术选择习惯地在衬底上移除薄膜，并且通过这一移除的过程在衬底表面形成了材料的图形，

光罩定义了图形的形状，icp材料刻蚀平台，这一图形定义过程称为显影，

一旦光罩的图案被定义，没有被定义的部分即被蚀刻，这一过程我们称为湿法或者干法蚀刻

历，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀平台，湿法蚀刻在图形定义中扮演了重要的角色，直到vlsi和ulsi时代，

随着关键尺寸变小&表面形貌变得更为重要，湿法蚀刻---法蚀刻所替代，

这一替代主要是因为湿法蚀刻是各向同性蚀刻，

湿法蚀刻从各个方向移除材料，因此导致了在衬底上的材料图形与掩膜图形不一致

相比lsi时代，vlsi与ulsi时代需要更精细的光罩来定义图形的关键尺寸，吉林材料刻蚀平台，

此外，在---器件中需要高深宽比的图形，这需要各向---蚀刻

在---工艺中，湿蚀刻的底部过蚀刻是不可接受的，

这一问题导致湿法蚀刻更多地用于清洗工艺而不是蚀刻工艺，

只有器件需要较大的关键尺寸时（例如mems）才会使用湿法蚀刻，

各向---蚀刻使用一系列被称为干法蚀刻的技术，这些技术是vlsi和ulsi时代选择

干法蚀刻可以通过离子轰击物理性地移除衬底表面的材料

或者通过化学反应将衬底材料转换为不稳定的产物通过气泵抽走

干法蚀刻包含以下蚀刻方式（整个蚀刻过程中贯穿着化学蚀刻，物理蚀刻，或下述蚀刻方式的混合）

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