半导体材料-硅孔材料刻蚀技术-天津材料刻蚀技术

材料刻蚀技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：

二氧化硅腐蚀：

在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，国内腐蚀机做的比较好的有广东省科学院半导体研究，腐蚀液是由hf、nh4f、与h2o按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和sio2掺杂情况。掺磷浓度越高，天津材料刻蚀技术，腐蚀越快，掺硼则相反。sio2腐蚀速率对温度敏感，温度越高，腐蚀越快。

欢迎来电咨询半导体研究所了解更多材料刻蚀技术~

mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，硅材料刻蚀技术，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

电子回旋加速振荡等离子体刻蚀设备主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。

刻蚀通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。从难度上讲，硅刻蚀难，其次介质刻蚀，的是金属刻蚀。