福建光刻制作加工-半导体镀膜-半导体光刻制作加工

光刻制作加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，微纳光刻制作加工，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

那么第三代半导体材料究竟是什么呢？

在国际上一般把禁带宽度（eg）大于或等于2.3 ev 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。

常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（sic）、氮化镓（gan）、金刚石、氧化锌（zno）、氮化铝（aln）等。

代半导体材料以硅（si）为代表，经过长期的发展取代了笨重的电子管，从而推动了以集成电路为的微电子产品的迅猛发展；

第二代半导体材料则以镓（gaas）和锑化铟（insb）等为主，其中磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，而镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。

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如果说以上工艺步骤是任何微机械器件都必须要考虑的工艺的话，那么“掺杂工艺”（doping）就是半导体工艺中的工艺了。

说掺杂工艺是半导体工艺中的工艺，是因为电路中各半导体器件的电学性能在此步骤形成。在此步骤之前，整片晶圆不过是一片冷冰冰的材料一片，过了此步骤，才有了各种各样的二极管、三极管、cmos以及电阻等。

掺杂工艺在半导体中如此重要，是因为它可以改变半导体的电导率、载流子类型和浓度、能带结构等电学性质，从而实现不同的功能和性能。半导体的导电性能可控，就是通过掺杂来实现。