半导体光刻技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
首先，图形被转移到光刻层。光刻胶类似胶卷上所涂的感光物质。---后会导致它滋生性质和结构的变化。光刻胶被---的部分由可溶性物---成了非溶性物质。这种光刻胶被称为负胶，这种化学变化称为聚合。通过化学溶剂把可以溶解的部分去掉，就会在光刻胶层留下一个孔，这个孔和光刻板或光刻母版不透光的部分相对应。
第二次图形转移时从光刻胶层到晶圆层。当刻蚀剂把晶圆表面没有被光刻胶盖住的部分去掉时，图形转移就发生了。光刻胶的化学性决定了它不会在化学刻蚀溶剂中溶解或时慢慢溶解;它们是抗刻蚀的，因此被称为抗蚀剂或是光致抗蚀剂。
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干法刻蚀干法刻蚀是用等离子体或者离子束等来对晶圆片进行轰击将未被保护的半导体结构进行去除的方法。相比于湿法刻蚀，干法刻蚀精度高、选择性和方向性好，并且不会产生残留物，适用于制造高集成度的芯片。
然后干法刻蚀也有缺点，例如成本高，设备复杂，处理时间长。
在半导体工艺步骤中，会根据不同的目标和需求，灵活选择适合的工艺。甚至在同一个器件制作的不同步骤中，会混合使用湿法刻蚀和干法刻蚀。
通过光刻及刻蚀步骤，就可以将希望的图形，半导体光刻技术厂商，在晶圆片上真正实现。需要说明的是，光刻/蚀刻步骤一次只能实现一层半导体结构，由于半导体器件是多层器件， 通过需要迭代多次才能将半导体器件完整蚀刻出来。并且随着工艺复杂度的不同，需要的层数也不同。例如在0.18微米的cmos工艺中，需要的光罩层数约为20层，半导体光刻技术服务，而对于7nm左右的cmos工艺来说，则需要55-60层
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一般晶圆表面空洞的形成是由于在光刻板上有一部分是不透光的。如果光刻板的图形是由不透光的区域决定的，则称为亮场光刻板。而在一个暗场光刻板中，在光刻板上图形是用相反的方式编码的。如果按照同样的步骤，就会在晶圆表面留下岛区。
对光有负效应的光刻胶，称为负胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，半导体光刻技术价格，称为正胶。光可以改变正交的化学结构---可溶到可溶。这种变化称为光致溶解。
通常来讲，我们是根据控制尺寸和防止缺陷的要求来选择光刻胶和光刻板极性，从而使电路工作的。
把图像从光刻板转移到晶圆表面是由多个步骤来完成的。特征图形尺寸、对准容限、晶圆表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的难易程度和每一步骤的工艺。许多光刻工艺都被定制成特定的工艺条件。
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