感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀技术-半导体-云南材料刻蚀技术

氮化硅材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

钝化层基本的刻蚀剂是氢氟i酸，它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点。

选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。基本内容：高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的---时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在较---的工艺中为了---关键尺寸和剖面控制是必需的。---是关键尺寸越小，选择比要求越高。

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氮化镓材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在激发状态，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀技术，氟刻蚀二氧化硅，并将其转化为挥发性成分由真空系统排出。

icp刻蚀可以调节的刻蚀参数有：icp 功率，功率值越大，等离子体密度越大，射频功率，功率值越大，等离子体能量越大，物理溅射加强。gan的刻蚀一般是采用氯i气和---化硼，气体比例的变化可以调节物理轰击和化学反应的平衡。

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