天河材料刻蚀加工工厂-半导体镀膜-硅孔材料刻蚀加工工厂

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 刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。

 等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤：

1、在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（radicals）

2、活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物

3、反应生成物脱离被刻蚀物质表面，微流控材料刻蚀加工工厂，并被真空系统抽出腔体。在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可较大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致比较高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向---刻蚀得以实现。