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mems真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，mems真空镀膜价钱，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

(3) 启动机械泵，抽一分钟左右之后，打开复合真空计，当示数约为10e-1量级时，启动分子泵，频率为400hz (默认)，同时预热离子清洗打开直流或射流电源及流量显示仪。

(4) (选择操作)打开加热控温电源。启动急停控制，报警至于通位置，江西mems真空镀膜，功能选则为烘烤。

(5)当真空度达到5x 10-4pa时，关闭复合真空计，开启电离真空计，通气(流量20l/min)，打开气路阀，将流量计i拨至阀控档，稳定后打开离子源，依次调节加速至200v~250v，中和到12a左右，阳极80v;阴极10v，阳极300v。从监控程序中调出工艺设置文件，启动开始清洗。

(6)清洗完成后，按离子源参数调节相反的顺序将各参数归零，关闭离子源，将流量计ⅱ置于关闭档。

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工艺和产品趋势

·从以开始，半导体工业就呈现出在新工艺和器件结构设计上的持续发展。工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高的密度，更多的数量和更高的---性。

·尺寸和数量是ic发展的两个共同目标。

·芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸，将此定义

为制造复杂性水平的标准。

·通常用微米来表示。一微米为1/10000厘米。

·gordon moore在1964年预言ic的密度每隔18～24个月将---，——摩尔定律。

一个尺寸相同的芯片上，所容纳的晶体管数量，因制程技术的提升，每18个月到两年晶体管数量会加倍，mems真空镀膜公司，ic性能也提升1倍。现以1961年至2006年期间半导体技术的发展为例加以说明，ic电路线宽由25微米减至65纳米，晶圆直径由1英寸增为12英寸，每一芯片_上由6个晶体管增为80亿个晶体管，dram密度增加为4g位，晶体管年销售量由1000万个增加到10的18次方至19次方个，但晶体管平均售价却大幅下降10的9次方倍。

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