氧化硅材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，福建氧化硅材料刻蚀，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，氧化硅材料刻蚀加工，以及行业应用技术开发。
化学蚀刻与物理蚀刻的不同之处在于，它利用等离子体内产生的反应物质与基板材料之间的化学反应。常见的化学蚀刻类型涉及卤化物化学，其中氯或氟原子是蚀刻过程中的活性剂。蚀刻工艺的代表性化学物质是使用 nf3进行硅蚀刻。此蚀刻过程中的化学反应顺序为：
nf 3 + e - *** ? nf 2 + f ? + e -si(s) +4f ? *** sif 4 ↑
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电子回旋加速振荡等离子体刻蚀设备主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。
刻蚀通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。从难度上讲，硅刻蚀难，其次介质刻蚀，的是金属刻蚀。
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干法刻蚀用于---的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言，已经能够达到较为---的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、---的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和---的等离子体损伤。
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