材料刻蚀版厂家——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
二氧化硅腐蚀机理为:
h2sif6(六)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用hf、nh4f与纯水按一定比例配成缓冲液。
由于基区的氧化层较发射区的厚,以前小功率三极管的三次光刻(引线孔光刻)一般基极光刻和发射极光刻分步光刻,现在大部分都改为一步光刻,只有少部分品种还分步光刻,比如2xn003,2xn004,2xn013,辽宁材料刻蚀版厂家,2xp013等。但是由于基区的氧化层一般比发射区的厚,所以刻蚀时容易发生氧化区的侵蚀。
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下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:
二氧化硅腐蚀:
在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有广东省科学院半导体研究,腐蚀液是由hf、nh4f、与h2o按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,半导体材料刻蚀版厂家,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和sio2掺杂情况。掺磷浓度越高,深硅刻蚀材料刻蚀版厂家,腐蚀越快,掺硼则相反。sio2腐蚀速率对温度敏感,温度越高,腐蚀越快。
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二氧化硅腐蚀后检查:
1、窗口内无残留sio2(去胶重新光刻);
2、窗口内无氧化物小岛(去胶重新光刻);
3、窗口边缘无过腐蚀(去胶重新光刻);
4、窗口内无染色现象(报废);
5、氧化膜无腐蚀(去胶重新光刻);
6、氧化膜无划伤等(去胶重新光刻)。
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