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    2023-8-13

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在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下, 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ,它们能给薄膜的镀制带来---的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短;它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应; 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜;它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命;它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行。

      因此,海南生物芯片真空镀膜,蒸发真空镀膜机要镀制膜层,必须要真空状态下才能进行镀膜,膜层才会牢固,才不会有污染物等。

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磁控溅射真空镀膜设备常见的靶中i毒现象有:

(1)正离子堆积:靶中i毒时,靶面形成一层绝缘膜,正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡,不能直接进入阴极靶面,而是堆积在靶面上,生物芯片真空镀膜工艺,容易产生冷场致弧光放电---打弧,使阴极溅射无法进行下去。

(2)阳极消失:靶中i毒时,生物芯片真空镀膜价格,接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜,到达阳极的电子无法进入阳极,形成阳极消失现象。

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同传统电磁式和可控硅技术制作的电弧电源相比较,高频逆变电弧电源主要具有以下特点:

1. 体积缩小,仅是旧式电源的几分之一;相应的电源重量也 仅是传统电源的几分之一到十几分之一。

2.电源效率明显提高,比旧式电源的效率大约提高20%∽30%左右。

3.操作轻便,电---节精度较高,稳流性能好,有利于控制膜厚及---膜厚的重复性。

4. 采用高频逆变方式的电弧电源纹波较小,加上其响应速度远远高于旧式电源,在相同弧源和工作条件下,使用高频逆变电弧电源有利于提高电弧的稳定性,减少灭弧次数。


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