感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀服务-广州材料刻蚀服务-半导体镀膜

材料刻蚀服务——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，广州材料刻蚀服务，立足于广东省经济社会发展的实际需要，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀服务，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

nf 3在等离子体中解离以产生高反应性原子氟自由基。这些自由基与衬底中的硅反应生成 sif 4，这是一种可以被抽走的挥发性气体。以这种方式从衬底蚀刻硅。化学蚀刻与湿蚀刻一样，是一种没有方向性的各向同性工艺（图 5）。其原因是反应物质的粘附系数相对较低，因此与基材表面的大多数碰撞不会导致蚀刻，而是使反应物质简单解吸回气相。这种现象导致被蚀刻的特征内的蚀刻过程的平衡，并终导致蚀刻中的各向同性特征。

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由于离子垂直射向表面，垂直方向的蚀刻速率收到了---的增强，

此外由于离子与沟槽底面发生---的相互作用，优先地移除了阻碍反应发生的副产物，

与此同时，侧墙上的沉积物/副产物降低了侧墙上的化学刻蚀速率，使刻蚀形貌接近垂直.

各向---获得的垂直角度在半导体制造工艺中定义稠密图形（细栅）时是---重要的

rie中的各向---蚀刻获得的角度与离子流的能量，角度分布和副产物的钝化性能间的平衡直接相关

入射离子能量和角分布与电场释放出朝向衬底的离子直接相关，

---的压力和更高的衬底偏置是控制离子能量（增加）和角度分布（较少）的关键

cxfy聚合物是一种常见的蚀刻气体

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