半导体光刻工艺制作-辽宁半导体光刻工艺-半导体材料

半导体光刻工艺——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，半导体光刻工艺制作，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

那么第三代半导体材料究竟是什么呢？

在国际上一般把禁带宽度（eg）大于或等于2.3 ev 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。

常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（sic）、氮化镓（gan）、金刚石、氧化锌（zno）、氮化铝（aln）等。

代半导体材料以硅（si）为代表，半导体光刻工艺技术，经过长期的发展取代了笨重的电子管，从而推动了以集成电路为的微电子产品的迅猛发展；

第二代半导体材料则以镓（gaas）和锑化铟（insb）等为主，其中磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，而镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。

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芯片制造是一个---复杂的过程，且随着制程的进步，芯片制造的步骤也在不断增加。

但无论芯片的步骤如何增加，芯片制造的步都必定是光刻，也就是通过光刻机将提前设计好的电路团刻到晶圆上。 而在整个光刻过程中，除的光刻机外，光刻板也是无法或缺的。它就好像是照相机的底片，而光刻机相当于---装置，辽宁半导体光刻工艺，两者合力才能产生终的相片。

更进一步的讲，决定电路图案的并非光刻机，而是光刻板的结构，因此光刻板---芯片产业链的咽喉，只有通过它，芯片的功能才可以终实现。

光刻板的准确度和细致度，直接攸关半导体芯片的品质，且光刻板不像芯片是流水线作业，每一个掩膜都需要特殊设计，因此这一行业呈现高度的定制特性。

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