广东si材料刻蚀-半导体测试-si材料刻蚀工艺

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各向同性自由基蚀刻

高压等离子蚀刻通常在0.2-2torr的压力下进行.

材料蚀刻中化学过程相比物理过程会更多地发生辉光放电现象

应用于等离子蚀刻的压力会导致离子产生非常低的平均自由程以防止产生离子轰击

因此，si材料刻蚀技术，当等离子蚀刻显示出相对较好的材料选择比的同时，si材料刻蚀工艺，蚀刻的化学性质相较各向---蚀刻主要体现各向同性蚀刻

这使得等离子蚀刻在vlsi和ulsi器件制造中仅有有限的应用，使用13.56mhz rf激发等离子体的筒形蚀刻机是这一蚀刻的典型代表

筒形蚀刻机这一早期技术通常使用在光阻剥离，各向同性氮化硅移除，太阳能电池的硅蚀刻以及等离子清洗

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刻蚀设备国产化进程

刻蚀机方面，lam research、tel、应用材料都实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖，占据了全i球干法刻蚀机市场80%以上的份额。

在市场，介质刻蚀机是我国zui具优势的半导体设备，目前，我国主流设备中，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这其中市场规模zui大的就是刻蚀设备。