硅材料刻蚀加工-江西材料刻蚀加工-半导体微纳

材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

si3n4刻蚀：

在903e刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：cf4、nf3、he。

刻蚀机理是： cf4电离***cf3+f*（氟自由基）

cf3电离***cf2+f*

cf2电离***cf1+f*

12f*+ si3n4***3si f4↑+2 n2↑

氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在cf4中加入少量氧气（5%-8%），微流控材料刻蚀加工，因为氧能够抑制f*在反应腔壁的损失，并且：cf4+o2***f* +o*+cof*+cof2+co+…… （电离）

cof*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：

cof****f* co （电离）

但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。