硅孔材料刻蚀加工厂-半导体研究所-河北材料刻蚀加工厂

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    2023-6-28

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在rie工艺中,离子携带------衬底表面原子化学键的能量,氧化硅材料刻蚀加工厂,离子的冲击降低了化学蚀刻反应所需的活化能,并提高了衬底表面中性物质的反应速率

在确定的蚀刻化学中,硅孔材料刻蚀加工厂,反应副产物会在表面形成并在化学时刻中起到抑制作用,河北材料刻蚀加工厂,

带能离子可以通过物理溅射将被副产物覆盖的下层材料暴露出来,以使其继续进行化学蚀刻反应

因此rie有时也被称为离子增强蚀刻或反应和离子蚀刻

离子轰击表面的高指向性产生了高度的各向---蚀刻

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湿法蚀刻会在所有方向产生材料去除,这导致掩模定义的特征尺寸与基板上的特征尺寸之间存在差异。此外,---设备中的纵横比(---与宽度之比)增加,硅柱材料刻蚀加工厂,实现这些比例需要使用定向蚀刻技术对材料进行各向---蚀刻。有助于理解各向同性与各向---特征生成和定向蚀刻。对湿法蚀刻在加工中的效用的后打击可能是这样一个事实,即许多用于器件制造的新材料没有可用于蚀刻的湿法化学物质。这些问题结合在一起使湿蚀刻技术几乎只用于清洁而不是蚀刻应用。只有特征尺寸相对较大的器件才继续采用湿法蚀刻。表面清洁已在 各向---特征生成和定向蚀刻。对湿法蚀刻在加工中的效用的后打击可能是这样一个事实,即许多用于器件制造的新材料没有可用于蚀刻的湿法化学物质。这些问题结合在一起使湿蚀刻技术几乎只用于清洁而不是蚀刻应用。只有特征尺寸相对较大的器才继续采用湿法蚀刻。表面清洁已在晶圆表面清洁。

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干法刻蚀的步骤:刻蚀反应剂在等离子体中产生;反应剂以扩散的方式通过不流动的气体边界层到达表面;反应剂吸附在表面;随后发生化学反应,也伴随着离子轰击等物理反应,生成了可挥发性化合物;

后,这些化合物从表面解析出来,通过扩散回到等离子体气体中,然后由真空装置抽出。





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