浙江材料刻蚀价格-半导体研究所-gan材料刻蚀价格

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    2023-6-24

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rf电源用于激发等离子,并且衬底被放置于功率电极上

功率电极在衬底上施加负的偏压,促使离子加速轰击表面,半导体材料刻蚀价格,rie工艺中离子承受的加速电压远低于物理蚀刻工艺,因此也降低了衬底可能受到的损伤

rie中的离子能量通常在1-30ev间,而pvd工艺中的能量则要超过300ev

rie系统的关键挑战之一是同样的功率既要产生等离子体还要将离子推向衬底表面以发生反应

这个配置---了电容耦合等离子(ccp)需要运行于10-100mtorr的压力下

为了获得更高的刻蚀速率及更更宽的工艺窗口,电感耦合等离子(icp)被使用,并通过分离的rf电源控制等离子体的产生,衬底的偏置由第二个rf电源提供

rf1控制感应线圈产生高密度等离子体,同时独立的rf2控制施加在衬底上的偏压

这个配置可以获得额外的功能例如调制脉冲偏压,并且使反应发生在<10mtorr的---压力下以提升半导体衬底上的蚀刻均匀性

脉冲功能在深宽比蚀刻中尤其有用,

由于反应产物从高深宽比结构/狭窄的特征结构中移除更慢,所以在相同工艺下同一硅片上小的特征结构中(高深宽比)的刻蚀速率相较大的特征尺寸结构中更

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刻蚀设备国产化进程

刻蚀机方面,lam research、tel、应用材料都实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖,占据了全i球干法刻蚀机市场80%以上的份额。

在市场,介质刻蚀机是我国zui具优势的半导体设备,目前,我国主流设备中,去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这其中市场规模zui大的就是刻蚀设备。





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干法刻蚀的步骤:刻蚀反应剂在等离子体中产生;反应剂以扩散的方式通过不流动的气体边界层到达表面;反应剂吸附在表面;随后发生化学反应,也伴随着离子轰击等物理反应,生成了可挥发性化合物;

后,这些化合物从表面解析出来,通过扩散回到等离子体气体中,然后由真空装置抽出。





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