微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
光刻工艺对掩膜版的要求
光刻是芯片设计中的重要技术。它具体是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的一种技术。那光刻工艺对掩膜版的要求:精度高、反差强、耐磨损、套刻准。
正性光刻胶一般在使用过程中都简称为正胶,在显影液中,光刻胶的溶解度是非常高的。行业内普遍认为正性光刻胶具有---的对比度,生成的图形也具有---的分辨率。掩膜版也被称作是光刻版,上面又一层感光材料,使用过程中需要保持掩膜版的洁净。
在光刻掩膜版的工艺中,我们知道在光刻胶的下面是要被刻蚀形成图案的底层薄膜,倘若这个底层是反光的,光线就有可能从这个膜层反射而且会损害临近的光刻胶,这个损害对线宽控制将会带来不好的影响。鉴于这种现象,抗反射层涂层有着很强的---性。底部的抗反射涂层分为邮寄抗反射涂层和无机反射涂层两种,半导体光刻制作平台,两者相比,有机抗反射涂层更容易被去除。顶部的抗反射涂层由于不吸收光,一般是作为一个透明的薄膜干涉层,通过光线间的相干相消来消除反射。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,半导体光刻制作工厂,主要---半导体产业发展的应用技术研究,福建半导体光刻制作,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
敏感度决定了光刻胶上产生一个---的图形所需一定波长光的能量值。抗蚀性决定了光刻胶作为覆盖物在后续刻蚀或离子注入工艺中,不被刻蚀或抗击离子轰击,从而保护被覆盖的衬底。光刻胶依据不同的产品标准进行分类:按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。根据感光树脂的化学结构来分类,光刻胶可以分为光聚合型、光分解型和光交联型三种类别。
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半导体加工技术:接触式紫外mems微纳光刻加工定制工艺流程广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,其前身是2010年10月在成立的广东半导体照明产业技术研究院。本院拥有5000平方米的研发基地(其中超净实验室800平方米),拥有mocvd、真空镀膜机等120多台/套关键设备,设备总价值逾1亿元。目前已建立材料外延、微纳加工、封装应用、分析测试四大科研平台,是国内少数拥有完整半导体工艺链的研究平台之一,研发,半导体光刻制作定制,每年为逾百家企业、高校、研究院提供半导体工艺技术服务。
光学平版印刷术基本上是一种照相工艺,通过该工艺,一种称为光刻胶的光敏聚合物被---和显影,以在基材上形成三维浮雕图像。通常,理想的光刻胶图像在基板平面上具有设计或预期图案的形状,并且具有贯穿抗蚀剂厚度的垂直壁。因此,终的抗蚀剂图案是二元的:基板的一部分被抗蚀剂覆盖,而其他部分则完全未被覆盖。图案转移需要这种二元图案,因为覆盖有抗蚀剂的基板部分将受到保护,免受蚀刻、离子注入或其他图案转移机制的影响。
典型光刻工艺的处理步骤的一般顺序如下:衬---备、光刻胶旋涂、预烘烤、---、---后烘烤、显影和后烘烤。抗蚀剂剥离是光刻工艺中的终操作,在抗蚀剂图案已转移到下层之后。这个序列如图 1-1 所示,通常是在几个连接在一起的工具上执行的,这些工具被称为光刻集群。下面简要讨论每个步骤,---光刻胶处理中涉及的一些实际问题。有关这些主题的更多信息将在后续章节中详细讨论。
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