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磁控溅射真空镀膜的具体方法是在真空条件下电离惰性气体， 气体离子在电场的作用下 ， 轰击金属靶材使金属原子沉积到玻璃表面上。它是七十年代末期发展起来的一种---的工艺方法，膜层由多层金属或金属氧化层组成， 允许任意调节能量通过率、能量反射率， 具有---的外观美学效果， 它克服了其它生产方法存在的一些缺点，氧化镍真空镀膜多少钱， 因而目前国际上广泛采用这一方法。磁控溅射是一种新型的高速、低温溅射镀膜方法， 它是在专门的真空设备中， 借助于高压直线溅射装置进行的。磁控溅射镀膜工艺的原理是: 将玻璃送入设有磁控阴极和溅射气体的真空室内，氧化镍真空镀膜加工厂，阴极加负电压，在真空室内辉光放电，产生等离子体。由于金属靶材带负电，等离子中带正电的气体离子被加速，并以相当于靶极位降u的能量冲击靶面，将金属靶的原子轰出来，使之沉淀在玻璃表面形成金属膜。
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cvd镀膜设备种类繁多，当前pecvd为主流技术，未来市占率有望进一步提升。cvd是指利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程，是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、---物、氮化物、碳化物，也可以是iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程控制。cvd镀膜重复性和台阶覆盖性较好，可用于sio2、si3n4、psg、bpsg、teos等介质薄膜，以及半导体、金属（w）、各类金属有机化合物薄膜沉积。cvd种类繁多，根据腔室压力、外部能量等不同，可大致分为 apcvd、lpcvd、sacvd、 pecvd、mocvd等类别。cvd设备反应源容易获得、镀膜成分多样、设备相对简单、---适用于在形状复杂的零件表面和内孔镀膜。
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一般来说:提高电压可以提高离化率。这样电流会增加，所以会引起阻抗的下降。提高电压时，阻抗的降低会大幅度地提高电流，即大幅度提高了功率。如果气体压强不变，溅射源下的基片的移动速度也是恒定的，那么沉积到基片上的材料的量则决定于施加在电路上的功率。在vonardenne镀膜产品中所采用的范围内，功率的提高与溅射速率的提高是一种线性的关系。
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