流道材料刻蚀技术-北京材料刻蚀技术-半导体测试

氮化镓材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层。

在si片上形成具有垂直侧壁的高深宽比沟槽结构是制备---mems器件的关键工艺，其各向---刻蚀要求非常严格。高深宽比的干法刻蚀技术以其刻蚀速率快、各向---较强、污染少等优点---，成为mems器件加工的关键技术之一。bosch工艺，又名tmde(time multiplexed deep etching)工艺，是一个刻蚀—钝化—刻蚀的循环过程，以达到对硅材料进行高深宽比、各向---刻蚀的目的。

bosch工艺的原理是在反应腔室中轮流通入钝化气体c4f8与刻蚀气体sf6与样品进行反应，工艺的整个过程是淀积钝化层步骤与刻蚀步骤的反复交替。其中保护气体c4f8在高密度等离子体的作用下分解生成碳氟聚合物保护层，沉积在已经做好图形的样品表面。