微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
光刻工艺对掩膜版的要求
光刻是芯片设计中的重要技术。它具体是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的一种技术。那光刻工艺对掩膜版的要求:精度高、反差强、耐磨损、套刻准。
正性光刻胶一般在使用过程中都简称为正胶,在显影液中,光刻胶的溶解度是非常高的。行业内普遍认为正性光刻胶具有---的对比度,生成的图形也具有---的分辨率。掩膜版也被称作是光刻版,上面又一层感光材料,使用过程中需要保持掩膜版的洁净。
在光刻掩膜版的工艺中,我们知道在光刻胶的下面是要被刻蚀形成图案的底层薄膜,倘若这个底层是反光的,光线就有可能从这个膜层反射而且会损害临近的光刻胶,这个损害对线宽控制将会带来不好的影响。鉴于这种现象,抗反射层涂层有着很强的---性。底部的抗反射涂层分为邮寄抗反射涂层和无机反射涂层两种,两者相比,有机抗反射涂层更容易被去除。顶部的抗反射涂层由于不吸收光,一般是作为一个透明的薄膜干涉层,半导体光刻定制外协,通过光线间的相干相消来消除反射。
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一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准---、后烘、显影、硬烘等工序。
通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,半导体光刻定制多少钱,波长越短,加工分辨率越佳。静态旋转法:首先把光刻胶通过滴胶头堆积在衬底的中心,然后低速旋转使得光刻胶铺开,再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。在高速旋转的过程中,光刻胶中的溶剂会挥发一部分。静态涂胶法中的光刻胶堆积量非常关键,量少了会导致光刻胶不能充分覆盖硅片,量大了会导致光刻胶在硅片边缘堆积甚至流到硅片的背面,影响工艺。
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在光刻过程中可能会出现光刻胶未涂满衬底的异常,主要原因可能以下几个:滴胶量不、胶液偏离衬底中心、滴胶是有气泡、滴胶是有“倒角”,主要的叫绝方法有:增加滴胶量、调整匀胶机水平位置、调整滴胶位置、在“倒角”处滴胶、消除“倒角”。
光刻胶要有极i好的稳定性和一致性,如果稍微出点问题,损失将会是---的。去年2月,某半导体代工企业因为光刻胶的原因导致晶圆污染,报废十万片晶圆,直接导致5.5亿美元的账面损失。除了以上原因外,另一个重要原因是,经过几十年的发展,光刻胶已经是一个相当成熟且固化的产业。2010年光刻胶的专i利出现井喷,2013年之后,相关专i利的申请已经开始锐减。市场较小,技术壁垒又高,半导体光刻定---务,这意味着对于企业来说,发展光刻胶性i价比不高,即便研发成功一款光刻胶,也要面临较长的周期,需要与下游企业建立合作关系。
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