mems光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
有了掺杂工艺，就可以制造出pn结、双极型晶体管、场效应晶体管等基本的半导体元器件，也可以用来调节mos晶体管的阈值电压、---接触电阻、增强辐射耐受性等。掺杂工艺是半导体工艺中和基础的技术之一，半导体光刻工艺加工，对于半导体器件的设计和制造具有决定性的影响。
半导体工艺中实现掺杂的主要方法有两种，即热扩散和离子注入。热扩散是在高温下（约1000℃）将半导体暴露在一定掺杂元素的气态下，利用化学反应和热运动使杂质原子扩散到半导体表层的过程
离子注入是将杂质原子电离成离子，用高能量的电场加速，然后直接轰击半导体表面，使杂质原子“挤”进到晶体内部的过程
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能光成像可以解决密形封装中出现的间题。在啸形封装中，当你把芯片放在上面时，贵州半导体光刻工艺，芯片波此之间并不。很住将付片地保持在人们想要的微米范围内。然而，激光比成像可以解决病出型封装的肩移问题。同时，“自适应图案化”技术则是解决芯片偏移的—种方法。
国外suss microtec公司在开发激光烧烛的干法图案化工艺。suss的准分子烧蚀步进式---机结合了基于掩模板的图案化烧蚀。可以实现3pum的line/space，而2-2um也在进展中。
准分董优疣光的的是利所防率崇外(uvy)准分子就光拥的将胜直接去除材梓。典型的波长是3u6m 246om和]1931m。准分子说怏瞬间将相容的目标材料(和聚台物、有初机电介质)从固态转化为气态和副产物(即亚微米干碳颗粒)，从而产生很少甚至没有热影响区以及更少的碎片。
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在半导体电路中，除了用于可控导电的各种二极管、三极管外，还必须要用绝缘物质将不同的电路隔离开来。对于硅基元素来说，形成这种绝缘物质的方法就是将硅进行氧化，形成二氧化硅（sio2）了。
sio2是自然界中常见的一种材料，也是玻璃的主要元素。sio2材料的主要特点有：具有高熔点和高沸点（分别为1713 o c和2950o c）不溶于水和部分酸，溶于具有---的绝缘性、保护性和化学稳定性
由于以上特性，sio2在芯片制备的多个步骤工艺中被反复使用。芯片工艺中的氧化工艺是在半导体制造过程中，在硅晶圆表面形成一层薄薄的sio2层的过程。这层氧化层有以下作用：作为绝缘层，阻止电路之间的漏电
作为保护层，防止后续的离子注入和刻蚀过程中对硅晶圆造成损伤
作为掩膜层，定义电路图案
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