mems光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，器件光刻定制加工，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻作为微的如工的一个项目，一直是被咨询的业务。华为光刻师的招聘内容---后，光刻在国内折起了一场---。电子束光知、步进式洲刻都是光和技术的内容。激光成像则是一种用于封装的光刻技术
直写或无掩楗光刻我们可以称之为激光成像。它不需要直接使用掩模辰就能实现在芯片上进行加工，因此削)减了封装成本。激光成像系统，目前有奥宝科技、迪恩士以及deca公司都能提供。
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如果说以上工艺步骤是任何微机械器件都必须要考虑的工艺的话，那么“掺杂工艺”（doping）就是半导体工艺中的工艺了。
说掺杂工艺是半导体工艺中的工艺，是因为电路中各半导体器件的电学性能在此步骤形成。在此步骤之前，整片晶圆不过是一片冷冰冰的材料一片，过了此步骤，器件光刻定制实验室，才有了各种各样的二极管、三极管、cmos以及电阻等。
掺杂工艺在半导体中如此重要，是因为它可以改变半导体的电导率、载流子类型和浓度、能带结构等电学性质，从而实现不同的功能和性能。半导体的导电性能可控，吉林器件光刻定制，就是通过掺杂来实现。
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有了掺杂工艺，就可以制造出pn结、双极型晶体管、场效应晶体管等基本的半导体元器件，也可以用来调节mos晶体管的阈值电压、---接触电阻、增强辐射耐受性等。掺杂工艺是半导体工艺中和基础的技术之一，对于半导体器件的设计和制造具有决定性的影响。
半导体工艺中实现掺杂的主要方法有两种，即热扩散和离子注入。热扩散是在高温下（约1000℃）将半导体暴露在一定掺杂元素的气态下，利用化学反应和热运动使杂质原子扩散到半导体表层的过程
离子注入是将杂质原子电离成离子，用高能量的电场加速，然后直接轰击半导体表面，使杂质原子“挤”进到晶体内部的过程
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