gan材料刻蚀加工平台-江西材料刻蚀加工平台-半导体测试

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    2023-5-15

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干法刻蚀用于---的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言,已经能够达到较为---的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、---的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和---的等离子体损伤。

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干法腐蚀:干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将表面材料去除。

那什么是等离子体呢?

等离子体是完全或部分电离的气体离子,包括相同数量的正负电荷和不同数量的未电离分子组成。当足够大的电场加于气体并使其击穿和电离时,就产生了等离子体。

等离子体由自由电子触发,这些自由电子可以由加负偏压的电极发射或由其他方法产生。自由电子从电场获得动能,江西材料刻蚀加工平台,在穿过气体的运动过程中与气体分子碰撞而损失能量。在碰撞中转移的能量使得气体分子电离,产生自由电子。这些自由电子又从电场中获得动能,以上过程不断持续。




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半导体在介质刻蚀领域较强,其产品已在包括台积电,sk海力士、中芯国际等厂商的20多条生产线上实现了量产。该公司5nm等离子体蚀刻机已通过台积电验证,流道材料刻蚀加工平台,已用于全i球首条5nm工艺生产线。

半导体还切入了tsv硅通孔刻蚀和金属硬掩膜刻蚀领域。

在硅刻蚀和金属刻蚀领域较强,其55nm/65nm硅刻蚀机已成为中芯国际主力设备,该公司的28nm硅刻蚀机也已进入产业化阶段,14nm硅刻蚀机正在产线验证中,金属硬掩膜刻蚀机则攻破了28nm-14nm制程。

总而言之,在半导体设备领域,刻蚀机的国产化进程还是比较快的,但是,7nm刻蚀机的成功并不意味着国产7nm芯片可实现全i面量产。因为刻蚀的---道工序——光刻,感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀加工平台,其国产设备目前还处于卡脖子状态。因此,想要打造一个全制程国产化的 “芯”,各个工艺生产设备的齐头并进尤为重要。

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