深硅刻蚀材料刻蚀厂家-陕西材料刻蚀厂家-半导体研究所

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湿法腐蚀:用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料。

腐蚀液的搅拌和温度将会影响腐蚀速率，在集成电路工艺中，大多是湿法化学刻蚀是将硅片浸入化学溶剂或向硅片上喷洒刻蚀溶剂。

对于浸入式刻蚀，是将硅片进入化学溶剂，通过需求搅拌来---刻蚀过程以一致或者恒定的速率进行;

喷洒式刻蚀通过不断向硅片表面提供新的刻蚀剂来---地增加刻蚀速率和一致性，喷洒式较浸入式会---一点。

湿法化学刻蚀在进行图形转移的大缺点是掩模下会出现横向钻蚀，导致刻蚀后图形的分辨率下降。为了达到较---集成电路的工艺要求的---光刻胶抗蚀剂的图形转移，行业开始采用干法刻蚀。