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真空镀膜服务mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，生物芯片真空镀膜服务，以及行业应用技术开发。

由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下，有一个对应的大沉积速率。

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系

其中为气体分子平均自由程，k为玻耳兹曼常数，t为气体温度，d为气体分子直径，p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加，二次电子发射将增强。

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然而，硅晶圆具有的一个特性却---了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈.上升趋势，这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。

随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm~450mm。据统计，200mm硅片的用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。根据的<国际半导体技术指南(itrs)>，mems真空镀膜服务，300mm硅片之后下一代产品的直径为450mm;450mm硅片是未来22纳米线宽64g集成电路的衬底材料，将直接影响计算机的速度、成本，并决定计算机中央处理单元的集成度。

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