半导体光刻-磁控溅射真空镀膜公司-重庆磁控溅射真空镀膜

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    2023-4-3

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磁控溅射真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,重庆磁控溅射真空镀膜,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。


真空镀膜冷水机结构:

1、真空泵(进口);

2、水箱、水泵;

3、冷却塔;

4、冷凝器;

5、压缩机;

6、过滤器;

7、膨胀阀;

8、压力表;

9、电控箱。

真空泵的作用是将压缩空气进行减压,然后送到水箱里。

水箱的作用是储存冷媒水,并起到散热作用。 水泵的作用是将冷媒水加压送入冷却塔中。 冷凝器的作用是使进入蒸发器的热交换气体降温,同时将制冷剂在蒸发器中的液化气放掉一部分。

膨胀阀的作用是当制冷系统出现故障时自动开启排气口,释放出系统中多余的压力和热量。

电控柜的功能是对整个系统的控制及保护功能。(包括对温度的控制、压力的监控、过电流的保护等等)。




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磁场

用来捕获二 次电子的磁场必须在整个靶面上保持一致, 而且磁场强度应当合适。磁场不均匀就会产生不均匀的膜层。磁场强度如果不适当(比如过低),那么即使磁场强度一致也会导致膜层沉积速率低下,而且可能在螺栓头处发生溅射。这就会使膜层受到污染。如果磁场强度过高,可能在开始的时候沉积速率会非常高,但是由于刻蚀区的关系,这个速率会迅速下降到一个非常低的水平。同样,这个刻蚀区也会造成靶的利用率比较低。



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气体压强

将气体压强降低到某一点可以提高离子的平均自由程、进而使更多的离子具有足够的能量去撞击阴极以便将粒子轰击出来,也就是提高溅射速率。超过该点之后,由于参与碰撞的分子过少则会导致离化量减少,使得溅射速率发生下降。如果气压过低,等离子体就会熄灭同时溅射停止。提高气体压强可提高离化率,但是也就降低了溅射原子的平均自由程,这也可以降低溅射速率。能够得到沉积速率的气体压强范围非常狭窄。如果进行的是反应溅射,由于它会不断消耗,所以为了维持均匀的沉积速率,必须按照适当的速度补充新的反应镀渡。




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