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氮化镓材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。

反应离子刻蚀：这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行。硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近。大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上，氮化镓材料刻蚀加工平台，以较大的动量进行物理刻蚀，同时它们还与薄膜表面发生---的化学反应，产生化学刻蚀作用。选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地阻止了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，氮化镓材料刻蚀多少钱，较大提高了刻蚀的各向---特性。反应离子刻蚀是---规模集成电路工艺中比较有发展前景的一种刻蚀方法。