上海晶圆光刻加工-半导体加工-晶圆光刻加工工厂

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；

动态喷洒法：随着硅片尺寸越来越大，静态涂胶已经不能满足较新的硅片加工需求。相对静态旋转法而言，动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时刻就开始以低速旋转帮助光刻胶进行较初的扩散。这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展，较终以高速旋转形成满足厚薄与均匀度要求的光刻胶膜。集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势，对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，晶圆光刻加工代工，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。晶圆光刻加工

制作光刻掩膜版需要使用相关软件制作版图。

　　制作版图时，可以先使用ppt或者其他简单的绘图软件设计pattern，在此基础上，依据具体的图形大小、间距，使用coredraw、cad、l-edit等矢量图制作软件再次准确绘制，晶圆光刻加工定制，获得光刻掩膜版制造方需要的版图格式文件。

光刻掩膜版制作大概分为7个步骤：

步骤一、在提供的掩膜基板上涂覆一层光刻胶；

步骤二、对步骤一所述光刻胶进行---、显影，形成光刻胶图案；

步骤三、采用物理气相沉积工艺或其他工艺在所述基板上在光刻胶图案的直孔内沉积一层掩膜材料；

步骤四、去除掩膜基板和光刻胶图案，得到初始掩膜板；

步骤五、在初始掩膜板的上、下表面分别形成光致刻蚀层图案；

步骤六、采用化学刻蚀工艺对初始掩膜板的下表面及直孔通孔的内壁进行刻蚀，形成具有斜锥角的曲线形凹槽；

步骤七、去除光致刻蚀层图案，得到掩膜板。